NPMC Series
ELECTRICAL PARAMETER/RATINGS DEFINITIONS
+I
Symbol
V DRM
V (BO)
Parameter
Repetitive Peak Off ? state Voltage
Breakover Voltage
I PPS
I TSM
I T
I DRM
I (BO)
I H
Off ? state Current
Breakover Current
Holding Current
? Voltage
I H
I (BO)
I DRM
V T
Off ? State Region
I D
+Voltage
V T
I T
I TSM
I PPS
V D
I D
On ? state Voltage
On ? state Current
Nonrepetitive Peak On ? state Current
Nonrepetitive Peak Impulse Current
Off ? state Voltage
Off ? state Current
V D
V (BO)
V DRM
? I
Figure 1. Voltage Current Characteristics of TSPD
100
10
100
50
Peak
Value
t r = rise time to peak value
t f = decay time to half value
Half Value
1
0.1
1
10 100
1000
0
0 t r
t f
CURRENT DURATION (s)
Figure 2. Nonrepetitive On ? State Current vs. Time
(I TSM )
40
35
30
25
TIME ( m s)
Figure 3. Nonrepetitive On ? State Impulse vs.
Waveform (I PPS )
20
15
10
5
0
+125 ° C
? 40 to +25 ° C
0
10
20
30
40
50
60
VOLTAGE (V)
Figure 4. Capacitance vs. Off ? State Voltage
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4
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相关代理商/技术参数
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NP3100SC1T3G 功能描述:低压差稳压器 - LDO 310V TSPD HIGH IH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压(最大值):307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20
NP3100SCMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3100SCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 100A 310V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP3100SDMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
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